负责SiC新工艺开发，具体负责如下模块之一： 1：制程整合，需要有功率器件TD或PIE相关经验； 2：刻蚀工艺； 3：光刻工艺； 4：扩散工艺； 5：PVD工艺； 6：背面减薄工艺； 7：良率提升； 8：产品良率测试。

6寸/8寸碳化硅经验； 有功率器件TD或者PIE相关工作经验，熟悉SiC工艺开发和量产； 光学类、电子类、材料类、物理类、化学类，等理工类相关专业； 5年以上工作经验。