1、研发清洗工艺：研发湿法去除SiC表面污染物（颗粒物、金属离子、有机物等）的清洗recipe； 2、研发刻蚀工艺：去除SiO₂, PR, 金属等物质的湿法刻蚀工艺设计； 3、研发去除PR的工艺：研发曝光后，去除光刻胶的工艺； 4、优化化学品recipe：优化HF, HNO₃, BOE, SC1/SC2 等溶液的浓度、温度、时间。

1、全日制硕士及以上学历，电气、电力电子相关专业，10年及以上工作经验； 2、懂化学品安全管理知识（有MSDS，危险品安全管理员证等）； 3、有SiC功率器件工艺研发经验。