1有RF CMOS/S0I，SiGe等工艺流片经验者优先。 2具备较强的产品实战研发攻关能力、产品线战略规划能力和团队驾驭管理能力; 3对工作耐心细致、认真负责，富有团队合作精神、创新精神和良好的沟通能力； 4英语CET-6级以上，可熟练读写相关专业英文资料。

1、硕士以上学历，微电子、通信、集成电路等相关专业； 2、8年以上芯片研发设计从业经验，并有5年以上射频类芯片研发工作经历; 3、熟悉射频电路设计流程，熟练使用Cadence，SpectreRF，Calibre，ADS,HFSS等多种EDA工具。有LNA，PA、Mixer，PLL等设计经验者优先，具备成熟芯片研发能力。