1.主导失效分析及改善：主导客户退回品分析项目，组织专项攻关（EOS, 芯片隐裂，栅极氧化层击穿以及其他典型失效机理研究）。参与重大质量事故调查，支持8D报告编写与客诉应对，内部可靠性失效及工艺缺陷失效分析，协调研发、工艺、封装、测试、客户质量等多部门资源，推动失效问题闭环。 2.客户与供应链支持：作为技术窗口，与客户进行失效分析对接、报告评审及技术交流，提升客户满意度；协调第三方实验室资源，完成高难度分析任务；支持供应商质量审核，评估其失效分析能力与数据可信度。 3.失效分析技术管理：制定并持续优化MOSFET器件失效分析流程、标准与规范，确保分析结果准确、可追溯。建立并维护失效模式知识库（FMKM），推动DFMEA更新与跨产品经验复用。跟踪行业最新失效分析技术，开发并引入新设备、新方法，提升团队分析能力。领导失效分析团队，制定年度目标与KPI，分配任务、指导技术分析、审核报告。 4.可靠性统计及分析：制定可靠性方案，根据项目需求安排可靠性优先级，跟踪并统计可靠性状态，根据客户要求输出定制化可靠性报告。

1.本科及以上学历，微电子、电子工程、材料、物理等相关专业。 2.5年以上功率器件（MOSFET/IGBT/SiC/GaN）失效分析经验，3年以上团队管理经验。熟悉功率器件结构、工艺流程、封装流程及常见失效机理精通FA设备操作与数据分析，具备跨部门沟通与项目管理能力。 有车规MOSFET相关经验。 3.熟悉AEC-Q101、JEDEC, ZVEI等相关行业标准。 4.英语读写良好，能独立撰写英文失效分析报告并进行技术交流。