1.工艺开发与优化：​​ （1）负责HDPCVD的工艺开发，重点解决高深宽比结构的无空洞、无缝隙填充挑战； （2）通过设计实验系统性地优化工艺参数，不断优化填充能力、沉积速率、薄膜均匀性、应力、湿法刻蚀选择比等关键指标； （3）主导解决工艺开发中的核心挑战，如等离子体诱导损伤控制、颗粒控制、薄膜化学计量比调控等。 2.工艺整合与数据分析：​​ （1）运用多种表征手段（如SEM、TEM、椭偏仪、FTIR、应力测量仪）的数据，进行深度分析，建立工艺参数-薄膜微观结构-电学/机械性能之间的关联模型，指导工艺优化； （2）负责工艺的稳定性、重复性监控及SPC控制，确保工艺的稳定性。 3.技术支持与知识沉淀：​​ （1）支持新设备在客户端的工艺验收，确保设备性能满足工艺规格要求； （2）编写详尽的工艺规范、操作指南和技术报告，形成标准化知识库； （3）在市场推广或项目验收中，提供工艺技术支持，解答技术问题。

1.学历专业：本科及以上学历，材料科学、物理、化学、微电子、化学工程等相关专业。 2.工作经验： （1）具备集群式HDPCVD或PECVD设备沉积SiO2或SiN薄膜工艺开发经验； （2）深刻理解HDPCVD的沉积机理，包括沉积/溅射同步进行的共形填充原理及高密度等离子体特性。