工作职责: 1.从事硅基GaN外延结构及工艺技术的开发。 2.外延生长程序的编写与优化，并进行相关表征:PL、XRD、AFM、SEM、TEM等。 3.迭代式的推进研发进程，配合器件设计，从外延角度提升器件效率。 4.MOCVD现场管理，包括更换MO源、保养的计划与安排。 5.文献查阅与团队讨论，解决研发过程中遇到的技术难题，实现创新性外延结构与研发成果。 6.其他临时安排的工作。

1.3-5年左右MOCVDGaN生长经验(硅衬底或蓝宝石衬底均可)。 2.材料、电子、物理相关专业，具有较好逻辑思维及解决实际问题的能力。 3.良好的文献阅读及持续学习的能力，具有深入研究精神及自我驱动力。 4.团队合作及良好职业操守，维护公司技术机密与权益。 5.本科或硕士学历。