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功率半导体设计开发专家岗
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60-100万 宁波 本科 10年及以上 招聘 2 人 预计佣金 16.4K 05:24发布
72小时新发
JD基本信息
岗位职责
负责车用SiC MOSFET芯片的设计开发,具体包含: 1、负责SiC芯片结构、工艺流程设计、方案制定等; 2、负责SiC具体异常的技术分析,反向分析,前沿技术研究与开发; 3、负责对接工艺整合,明确平台能力,输出设计要求,推动设计方案的执行。 4、根据产品规划和业务发展需求,制定芯片产品和技术发展Roadmap。 5、负责公司 SiC 芯片产品现有产品优化,新产品开发,新技术预研。 6、负责公司SiC芯片产品全生命周期管理和支持。 7、负责SiC 芯片产品项目立项,项目推进和结项工作。
任职要求
1、学历专业:本科及以上学历,微电子、通信、微电子、物理等专业背景, 2、工作经验:硕士8年以上,本科12年以上相关行业经验 3、知识技能:深刻理解功率器件IGBT、MOS、Diode等器件结构原理,掌握器件Fab流片Flow,掌握TCAD、版图、Spice等相关工具。 4、素质:良好的沟通协调能力和书面表达能力,良好文献检索能力,较强的分析和解决问题能力,有较强的团队管理经验;良好的英语读、写能力.
所属行业:
电子技术、芯片、半导体
职能分类:
电路设计
工作城市:
宁波,招聘2人,详细地址:慈溪杭州湾吉利研发中心
职位要求
学历要求:
本科
工作年限:
10年及以上
技能/证书:
-
薪资福利
年薪范围:
60-100万*15薪
薪资福利:
五险一金,节假日福利
团队架构
所属部门:
S项目组
下属人数:
不限
部门架构:
-
汇报对象:
部长
职级职称:
技术专家
面试信息
面试轮次:
2轮
面试流程:
2-3轮面试
视频面试:
可以接受
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