1.负责GaAs基VCSEL外延结构（的MOCVD工艺开发与Recipe编写，优化生长参数。 2.过程监控与良率：监控外延生长全过程，运用SPC管控层厚均匀性、翘曲度等指标，及时处理工艺异常。 3.材料表征与问题解决：负责PL、XRD、ECV等日常表征分析，解决波长偏差、表面缺陷、均匀性差等工艺问题。 4.新产品导入：参与VCSEL新品的外延结构设计与试制，配合器件验证，完成从研发到量产的工艺转移。

1.精通MOCVD设备原理与操作，能独立完成Recipe开发与优化，深刻理解DBR/有源区/氧化限制层结构对VCSEL器件性能（波长、阈值、效率）的影响机制。 2.材料表征、数据分析与异常解决能力：熟练掌握PL、XRD、ECV等测试手段，运用统计工具监控工艺稳定性，具备工艺异常根因分析及缺陷（表面颗粒、位错）解决能力。