NVM电路设计与开发 主导NVM（如EEPROM、Flash等）电路的设计、仿真与优化，确保电路性能满足芯片设计要求。 负责NVM存储器的可靠性设计，包括数据保持、耐久性、读写速度等关键指标的验证与提升。 工艺与电路协同开发 深入理解并优化BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺平台，提升Embedded Memory的性能与可靠性。 与工艺开发团队紧密合作，推动NVM存储器在BCD工艺平台上的实现与优化。 Embedded Memory开发与验证 负责Embedded Memory的模块开发，包括电路设计、版图设计及验证。 制定Embedded Memory的验证方案，确保其功能正确性、可靠性和稳定性。 设计与验证支持 参与芯片设计流程，提供NVM相关的技术支持与解决方案。 分析NVM电路在不同工艺条件下的性能变化，解决设计中的技术难题。 技术文档编写与知识传递 编写NVM电路的设计文档、测试报告及相关技术资料，确保技术资料的完整性和准确性。

任职要求 教育背景 微电子、电子工程、电子科学与技术等相关专业，本科及以上学历。 工作经验 至少5年以上NVM研发经验，熟悉BCD工艺平台及Embedded Memory的设计与开发。 具有NVM电路设计、验证及量产经验者优先。 技术能力 熟悉NVM存储器的工作原理及设计方法，掌握NVM电路的仿真与验证工具。 熟悉BCD工艺平台，了解Embedded Memory的工艺特点及优化方法。 熟悉半导体器件物理及工艺技术，具备扎实的电路设计基础。 工具与技能 熟练使用EDA工具（如Cadence、Synopsys等）进行电路设计与仿真。 熟悉半导体器件模型提取及电路可靠性分析方法。 其他要求 具备良好的沟通能力和团队协作精神，能够独立承担复杂任务。 对半导体行业充满热情，具有较强的学习能力和问题解决能力。‘