一、通用要求 - 学历：本科及以上学历，光学工程、物理学、微电子、材料科学、自动化、精密仪器等相关专业；硕士及以上学历优先，条件优秀者可放宽至大专（需具备5年以上相关工作经验）。 - 经验：5年以上半导体膜厚量测设备相关工作经验，必须具备28nm半导体工艺膜厚量测设备产品设计、应用调试或相关技术支持经验，熟悉28nm逻辑/功率器件工艺者优先；有晶圆厂（Fab）28nm工艺量测岗位工作经验、或熟悉KLA、Nova等主流量测设备者优先。 - 技术能力：精通半导体膜厚量测原理（光学干涉、椭圆偏振等），熟悉光谱椭偏仪、反射式膜厚仪等设备的工作原理与核心结构；掌握28nm工艺各类薄膜（介电膜、金属膜、光刻胶等）的量测方法，能独立完成Recipe编写、模型拟合与数据校准；具备扎实的数据分析能力，能熟练使用SPC、RMS等系统进行工艺制程管控，可使用Python/SQL处理设备运行数据者优先。 - 综合素质：具备优秀的问题解决能力、沟通协调能力与团队协作精神，能独立承担项目任务；责任心强，抗压能力强，可接受出差（应用工程师出差频率较高）；熟悉SEMI标准、ISO9001质量体系者优先。 - 语言：英语CET-4及以上，能熟练阅读英文技术文档、设备手册，具备英文沟通能力者优先（可对接海外客户或技术团队）。

二、岗位专项要求 - 资深产品工程师：具备产品规划、需求分析、技术定义能力，有半导体设备产品研发或产品管理经验者优先；熟悉产品开发生命周期（PDLC）、设计验证测试（DVT）、工艺验证（PV），具备阅读和理解复杂机械/电气图纸、GD&T、技术规格书的能力；掌握FMEA、8D等问题解决方法论者优先。 - 资深应用工程师：具备丰富的客户现场设备调试、故障排查经验，能快速定位并解决设备硬件、软件及工艺相关问题；熟悉半导体Fab无尘室环境及生产流程，能适应Fab轮班制（如需）；具备设备改造、产线扩产、良率提升项目主导经历者优先。 核心加分项 - 有28nm及以下制程膜厚量测设备产品设计、应用或量产支持经验者，优先考虑。 - 熟悉半导体功率器件、MEMS器件28nm工艺膜厚量测需求者，优先考虑。 - 有国产半导体量测设备研发、应用经验，参与过国产化替代项目者，优先考虑。 - 掌握3D CAD软件基础查看与测量能力者，优先考虑。