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GaAs砷化镓电池研发高工或专家(芯片)
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35-60万 南昌 研究生 5-8年 招聘 1 人 预计佣金 75.6K 00:54刷新/2天前发布
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JD基本信息
岗位职责
●负责三结/四结电池、柔性GaAs电池、空间用光伏芯片研发工作 ●开展GaAs电池工艺开发、测试表征、失效分析与性能迭代 ●完成实验方案、数据整理、专利撰写与项目汇报
任职要求
●硕士及以上学历,微电子、光电子、材料、物理、半导体、光伏相关专业 ●熟悉GaAs电池工作原理、光刻、刻蚀、蒸镀等工艺 ●具备空间电池、高效光伏芯片、化合物半导体研发经验者优先
所属行业:
电子技术、芯片、半导体、集成电路
职能分类:
电池工程师
工作城市:
南昌,招聘1人,详细地址:南昌高新区天祥北大道1717号
职位要求
学历要求:
研究生·统招
工作年限:
5-8年
技能/证书:
-
薪资福利
年薪范围:
35-60万*14薪
薪资福利:
社保和公积金,按照实际缴纳,试用期不打折 提供宿舍
团队架构
所属部门:
砷化镓研发部
下属人数:
-
部门架构:
-
汇报对象:
砷化镓事业部负责人
职级职称:
专家/高工
面试信息
面试轮次:
2轮
面试流程:
可以视频面试,如果需要现场,企业负责机票和住宿
视频面试:
可以接受
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