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Sic IGBT frd
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50-150万 天津 研究生 5-8年 招聘 20 人 预计佣金 144K 一周前刷新/一个月前发布
HC多
JD基本信息
岗位职责
工作职责 负责SiC新工艺开发,具体负责如下模块之一: 1:制程整合,需要有功率器件TD或PIE相关经验; 2:刻蚀工艺; 3:光刻工艺; 4:扩散工艺; 5:PVD工艺; 6:背面减薄工艺; 7:良率提升; 8:产品良率测试。
任职要求
任职资格 6寸/8寸碳化硅经验; 4年以上工作经验。
所属行业:
半导体
职能分类:
半导体技术工程师
工作城市:
天津,招聘20人,详细地址:天津
职位要求
学历要求:
研究生
工作年限:
5-8年
技能/证书:
-
薪资福利
年薪范围:
50-150万*15薪
薪资福利:
-
团队架构
所属部门:
-
下属人数:
-
部门架构:
-
汇报对象:
-
职级职称:
-
面试信息
面试轮次:
-
面试流程:
-
视频面试:
不可以接受