1. 技术战略规划：负责光通激光芯片产品（DFB/CW-DFB/EML等）的中长期技术路线图制定， 主导新产品开发可行性分析与评估，编制项目总体方案与任务书，确保技术方向与集团"光芯片自主化"战略高度对齐。 2. 芯片设计研发：主导InP基激光芯片的外延结构设计、波导/光栅设计、器件仿真与版图设计， 包括DFB激光器的耦合系数优化、EML的电吸收调制器结构设计、CW光源的高功率输出设计等核心技术攻关。 3. 产品量产导入：推动25GDFB及以下量产良率持续提升，主导50G及以上DFB/EML外延结构 与芯片设计开发，完成从设计到流片、测试、可靠性验证到量产导入的全流程把控，确保产品满足客户 规格与交付要求。 4. 前瞻技术布局：跟踪硅光子学、光子集成回路（PIC）、CPO共封装光学等前沿技术趋势，开展技术预研与创新布局，推动核心专利申报及成果转化，保持产品技术竞争力。 5. 团队管理：建立完善的研发流程、设计规范与质量管理体系，负责研发人员的招聘、培养、考核与梯队建设，持续提升团队技术能力。 6. 跨部门协同：与外延工艺团队、芯片制程团队、测试可靠性团队、光器件/光模块团队紧密协作，打通"芯片设计→外延→制程→测试→封装→模块"全链条，推动设计-工艺-量产的闭环优化。 7. 客户技术对接：配合市场与销售团队，参与头部客户（华为、中兴等）的技术交流与需求对接，提供技术方案支持，推动产品认证导入与商业化落地

1.学历要求：硕士及以上学历，光学工程、光电信息、微电子学、半导体物理、通信工程等相关专业；博士学历优先。 2.经验要求：10 年以上化合物半导体光芯片研发经验，其中5年以上InP基激光芯片（DFB/CW-DFB/EML）设计与量产经验，3年以上研发团队管理经验。 3.行业背景：有Coherent（II-VI）、Lumentum、源杰科技、光迅科技、海思光电子、国科光领 等国内外头部光芯片企业核心研发经验者优先。 4.器件设计能力：精通InP基DFB/EML激光器的物理原理与器件设计，包括外延结构设计、波导 设计、光栅设计（如耦合系数计算、相位偏移设计）、RF特性建模等。 5.仿真建模能力：熟练使用Lumerical、COMSOL、RSoft、TCAD等光电仿真软件进行器件级仿 真，精通Matlab/Python进行数据分析与建模。 6.版图设计能力：熟练使用KLayout、L-Edit等EDA版图设计工具，具备掩膜版设计与流片方案 制定经验。 7.工艺整合理解：深入理解InP基芯片制程全流程（光栅制备、光刻、湿法/干法刻蚀、镀膜、电极等），能从设计端驱动工艺优化与良率提升。 8.表征测试能力：熟悉XRD、PL、ECV、Hall、SEM、TEM、SIMS等表征手段，具备芯片级光电 特性测试与失效分析能力。 9.可靠性认证：熟悉Telcordia GR-468-CORE等光器件可靠性标准，具备产品可靠性测试方案设 计与认证经验。 10.具备搭建研发体系的能力与经验，能在项目起步阶段独立定义技术路线与研发流程。 11.具有优秀的跨部门沟通协调能力和团队领导力，能有效推动设计-工艺-量产的闭环协同。 12.具备战略视野与前瞻思维，能敏锐把握行业技术趋势并转化为产品研发方向。 13.具有强烈的责任心与抗压能力，能在高速成长的企业环境中保持高效产出。 14.英语读写流利，能阅读国际前沿文献并参与海外客户技术交流