岗位职责： ●主导晶圆键合（Bonding）工艺开发：重点负责 GaN 器件制造过程中的晶圆级键合（如直接键合、混合键合、金属键合等）工艺路线设计、参数调试及界面缺陷控制。 ●器件工艺优化与集成：负责工艺流程的调优、工艺窗口拓展以及整体良率提升。 ●多工艺协调与协同：全面协调 CMP（化学机械抛光）、光刻（Lithography）、刻蚀（Etch）、薄膜沉积（PVD/CVD/ALD）及退火等前道/后道关键工艺，确保各工序间的匹配性与前表面指标要求（如平整度、粗糙度及应力平衡）。 ●异常排查与产线指导：针对工艺调试和量产过程中的工艺异常进行失效分析（FA），制定纠偏措施并撰写 SOP 引导产线标准运行。

任职要求： ●微电子、半导体物理、材料科学与工程等相关专业，本科及以上学历。 ●拥有 3 年以上半导体工艺开发经验，具备 GaN（氮化镓）器件相关工艺开发背景。 ●核心工艺能力要求： ○首选： 深入理解并具备晶圆键合（Bonding）工艺（如 Direct / Hybrid / Anodic / Metal Bonding 等）的实际开发与应用经验； ○辅助能力： 具备 CMP（化学机械抛光） 工艺经验（熟悉抛光速率、平坦化与缺陷控制），具备多门类半导体核心工艺（光刻、刻蚀、薄膜沉积等）的长期积累与集成优化能力。 ●熟练掌握 DOE（实验设计）、SPC（统计过程控制）及键合界面与器件失效分析（FA）方法。 ●具备严密的工程逻辑、良好的团队协作能力及抗压能力。