1、沉积工艺研发：研发SiC, SiO₂, Si₃N₄等绝缘膜及钝化层沉积条件； 2、设计高温/高压CVD条件：设计高温下稳定的CVD工艺； 3、研发形成电极的金属沉积工艺：Al, Ti, Ni, Pt等，Source/Drain/Ohmic/Schottky电极用金属的沉积； 4、研发接触电阻最小化技术：通过金属-半导体界面反应，形成欧姆接触。

1、全日制硕士及以上学历，电气、电力电子相关专业，10年及以上工作经验； 2、 有SiC扩散工艺经验，有Thinfilm ALD/ CVD /Metal PVD研发经验。