1、负责硅基/氮化硅光电子芯片的无源/有源器件设计，包括但不限于：光栅耦合器、边缘耦合器、MMI、微环谐振腔等无源结构，以及高速光电探测器（PD）、微环调制器等有源器件； 2、主导硅光与三五族、铌酸锂等材料的混合/异质集成设计； 3、完成芯片版图设计（Layout）及DRC验证； 4、对接代工厂（Foundry)，负责工艺设计套件（PDK）评估、流片技术支持及工艺相关问题跟踪解决； 5、参与器件性能测试方案制定，分析测试数据并指导设计迭代优化。

1、硕士及以上学历，光电子、微电子、物理电子学等相关专业； 2、具备3年以上硅光芯片设计经验（博士可放宽至应届/1年），熟悉无源与有源器件原理及设计流程；熟练掌握Lumerical、HFSS等光学/电磁仿真工具，以及Klayout或PhotoCAD等版图设计工具； 3、有与国内外知名代工厂合作流片经验； 4、加分项：有高速PD设计流片经验；具备混合/异质集成项目经验。