（2）高级研发工程师 职责描述: 1. 负责氮化镓激光器全流程制造支持，覆盖芯片、外延、封装、测试、耦合等环节，保障良率与稳定性。 2. 依托材料科学背景，开展 GaN 材料特性分析、工艺优化、失效分析与可靠性提升。 3. 对接客户需求，现场 / 远程解决激光器应用问题，输出技术方案与整改报告。 4. 参与产品规格定义、SOP 编制、测试标准建立，推动研发成果量产导入。 5. 协同研发、生产、质量团队，处理产线异常，优化制程与成本。 6. 收集行业前沿与客户反馈，参与产品迭代与技术升级。 任职要求 1.硕士及以上学历，材料科学与工程、材料物理、半导体材料、光电子等相关专业优先。 2.三年及以上半导体激光器 / 氮化镓器件行业经验，熟悉激光器原理、结构、制造工艺与测试方法。 3.具备材料表征与失效分析能力，了解外延、光刻、刻蚀、薄膜、封装等关键工艺。 4.优秀的客户沟通与问题解决能力，能独立处理现场技术支持与客诉。 5.熟练使用办公软件，能撰写技术报告、工艺文件与应用方案。 6.工作严谨、责任心强，可接受短期出差，具备良好团队协作与抗压能力。 7.有 GaN 基激光器、蓝光 / 绿光激光器、大功率激光器经验优先。 8.熟悉 MOCVD、SEM/XRD/PL 等设备与测试方法优先。 9.有客户 FAE、工艺工程、量产导入经验优先。 （1）博士研究员 一、职责描述: 1、负责氮化镓单晶生长的工艺研发：HVPE法氮化镓单晶生长外延参数优化、温场/流场设计、掺杂控制等核心技术环节 2、大尺寸氮化镓攻关：6英寸GaN单晶生长工艺的开发与定型，解决大尺寸外延带来的温场不均匀、开裂、翘曲等工程难题 3、厚膜氮化镓生长攻关：开展GaN厚片（≥3mm）生长工艺研究 4、承担公司研发项目，根据研发目标制定技术方案并执行 5、完成领导安排的其他工作。 二、任职要求: 1、3年以上相关工作经历； 2、具有半导体、微电子、材料物理、固态物理、材料化学、化学大类等相关专业的博士学位； 3、具有对半导体晶体的生长、外延、器件物理、材料特性表征方面的基本知识储备； 4、从事过氮化镓(GaN)、 氮化铟(InN)、氮化铝(AIN) 以及碳化硅(SiC)等半导体晶体生长动力学或器件研究的优先考虑； 5、思路逻辑清晰，有较强的问题分析能力和报告能力。

（2）高级研发工程师 职责描述: 1. 负责氮化镓激光器全流程制造支持，覆盖芯片、外延、封装、测试、耦合等环节，保障良率与稳定性。 2. 依托材料科学背景，开展 GaN 材料特性分析、工艺优化、失效分析与可靠性提升。 3. 对接客户需求，现场 / 远程解决激光器应用问题，输出技术方案与整改报告。 4. 参与产品规格定义、SOP 编制、测试标准建立，推动研发成果量产导入。 5. 协同研发、生产、质量团队，处理产线异常，优化制程与成本。 6. 收集行业前沿与客户反馈，参与产品迭代与技术升级。 任职要求 1.硕士及以上学历，材料科学与工程、材料物理、半导体材料、光电子等相关专业优先。 2.三年及以上半导体激光器 / 氮化镓器件行业经验，熟悉激光器原理、结构、制造工艺与测试方法。 3.具备材料表征与失效分析能力，了解外延、光刻、刻蚀、薄膜、封装等关键工艺。 4.优秀的客户沟通与问题解决能力，能独立处理现场技术支持与客诉。 5.熟练使用办公软件，能撰写技术报告、工艺文件与应用方案。 6.工作严谨、责任心强，可接受短期出差，具备良好团队协作与抗压能力。 7.有 GaN 基激光器、蓝光 / 绿光激光器、大功率激光器经验优先。 8.熟悉 MOCVD、SEM/XRD/PL 等设备与测试方法优先。 9.有客户 FAE、工艺工程、量产导入经验优先。 （1）博士研究员 一、职责描述: 1、负责氮化镓单晶生长的工艺研发：HVPE法氮化镓单晶生长外延参数优化、温场/流场设计、掺杂控制等核心技术环节 2、大尺寸氮化镓攻关：6英寸GaN单晶生长工艺的开发与定型，解决大尺寸外延带来的温场不均匀、开裂、翘曲等工程难题 3、厚膜氮化镓生长攻关：开展GaN厚片（≥3mm）生长工艺研究 4、承担公司研发项目，根据研发目标制定技术方案并执行 5、完成领导安排的其他工作。 二、任职要求: 1、3年以上相关工作经历； 2、具有半导体、微电子、材料物理、固态物理、材料化学、化学大类等相关专业的博士学位； 3、具有对半导体晶体的生长、外延、器件物理、材料特性表征方面的基本知识储备； 4、从事过氮化镓(GaN)、 氮化铟(InN)、氮化铝(AIN) 以及碳化硅(SiC)等半导体晶体生长动力学或器件研究的优先考虑； 5、思路逻辑清晰，有较强的问题分析能力和报告能力。