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资深研发负责人(放电腔方向)
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60-100万 北京 本科 10年及以上 招聘 1 人 预计佣金 129.2K 1天前发布
72小时新发
JD基本信息
岗位职责
工作职责:​ 主导光刻机放电腔的结构设计、仿真分析、性能验证及技术迭代,制定详细的研发方案与实施计划,确保满足光刻机整机的精度、稳定性及可靠性要求;​ 负责放电腔关键技术参数的定义、优化,开展材料选型、工艺验证及性能测试,解决研发过程中的技术瓶颈;​ 参与放电腔相关专利布局、技术文档编写(含设计规范、测试报告、研发总结等),推动技术成果转化与标准化落地;​ 协同机械结构、电气控制、光学系统等跨部门团队,完成放电腔与光刻机整机的集成调试、兼容性验证及性能优化;​ 跟踪行业内放电腔相关技术发展趋势,开展前沿技术预研与可行性分析,为公司技术战略布局提供支撑;​ 指导初级 / 中级研发工程师开展技术工作,分享研发经验与专业技能,提升团队整体技术水平。
任职要求
任职要求:​ 本科及以上学历,机械工程、精密仪器、材料科学、电子工程等相关专业;​ 具备 5 年以上放电腔相关研发经验,有半导体设备、光刻机、真空器件或高能物理相关领域放电腔设计、研发经历者优先;​ 精通放电腔的工作原理、结构设计、仿真分析(熟练使用 ANSYS、COMSOL 等仿真工具)及性能测试方法,能够独立完成从方案设计到样品验证的全流程工作;​ 熟悉放电腔相关材料特性、加工工艺(如精密 machining、焊接、表面处理等)及真空、高压等相关技术规范;​ 具备较强的技术攻关能力、问题分析与解决能力,能够应对研发过程中的复杂技术挑战;​ 良好的跨部门沟通协作能力、项目推进能力及团队管理意识(指导下属);​ 严谨的工作态度、创新意识及抗压能力,能适应研发项目的阶段性攻坚需求;​ 熟练阅读英文技术文献,具备英文技术沟通与文档编写能力者优先。
所属行业:
半导体、集成电路
职能分类:
半导体技术工程师
工作城市:
北京,招聘1人,详细地址:任职要求:​ 本科及以上学历,机械工程、精密仪器、材料科学、电子工程等相关专业;​ 具备 5 年以上放电腔相关研发经验,有半导体设备、光刻机、真空器件或高能物理相关领域放电腔设计、研发经历者优先;​
职位要求
学历要求:
本科·统招·985/211
工作年限:
10年及以上
技能/证书:
-
薪资福利
年薪范围:
60-100万*13薪
薪资福利:
六险一金(公积金10%) ,公租房,餐补
团队架构
所属部门:
-
下属人数:
-
部门架构:
-
汇报对象:
-
职级职称:
-
面试信息
面试轮次:
3轮
面试流程:
-
视频面试:
可以接受