一、核心职责 工艺开发：主导砷化镓芯片光刻工艺（涂胶/曝光/显影）优化，支持Mini/Micro LED专项组技术需求。 良率提升：解决光刻环节的线宽偏差、套刻精度等问题，将关键参数Cpk提升至1.67以上。 设备管理：维护ASML曝光机、Track涂胶显影设备，开发28nm以下节点工艺Recipe。 跨部门协作：与外延研发团队协同，完成砷化镓表面纳米结构的光刻工艺适配（参考专利CN114XXXXXX）。

二、任职要求 硬性条件 学历：微电子/材料/物理硕士及以上，3年以上半导体光刻经验（LED行业优先）。 技术：掌握光刻胶选型、掩膜版设计，熟悉SEM/CD-SEM检测设备操作。 工具：熟练使用DOE实验设计，能输出工艺改善报告（需提供案例证明）。 优先项 有盛美上海、东京电子设备厂商合作经验者。 参与过砷化镓红光/紫外LED光刻项目。