1.负责制定与公司产品战略相匹配的中低压IGBT（及模块）技术路线图与发展规划； 2.负责主导从概念、设计、流片、封测到量产的全流程研发项目，确保项目按时、按质、按预算完成；主导解决研发过程中的重大技术难题和失效分析； 3.负责领导团队进行中低压IGBT芯片设计、工艺仿真，主导模块设计与集成，制定并完善产品设计规范、测试规范和质量标准； 4.负责与上下游产业协同配合，开展跨部门协作，确保产品研发竞争力； 5.负责团队建设与管理，开展团队培养和绩效考核，建立高效的研发流程、知识管理体系和技术传承机制。

1.基本学历与经验 硕士及以上学历，微电子、半导体物理、电力电子、材料科学等相关专业。 10年以上半导体功率器件研发经验，其中至少5年以上IGBT相关产品（芯片或模块）研发经验，并具有3年以上研发团队管理经验。 有成功主导中低压IGBT产品从设计到量产的全流程经验者优先。 2.核心技术能力 深厚的器件物理基础：精通IGBT工作原理、开关特性、损耗机制、短路鲁棒性、失效模式等。 丰富的设计与仿真经验：精通使用Sentaurus TCAD、Silvaco等工具进行器件与工艺仿真；熟悉电路仿真工具。 全面的工艺知识：熟悉IGBT关键制造工艺（如光刻、注入、扩散、薄膜等），了解FAB制造流程。 模块与系统理解：熟悉功率模块的封装技术（如焊接、键合、灌封）、热管理、电磁兼容及在逆变器/变流器中的应用。 测试与可靠性：精通功率器件的静态/动态参数测试、可靠性测试标准（如AEC-Q101、AQG-324）及失效分析手段。 3.管理能力 出色的技术团队领导力和项目管理能力。优秀的跨部门沟通协调能力和资源整合能力。具备战略思维、商业敏锐度和成本控制意识。良好的问题解决能力和在压力下决策的能力。 4.个人素质 对技术有极强的热情和钻研精神。具备创新思维和开拓精神。结果导向，责任心强，具备良好的职业道德。 5.优先考虑条件 有国际领先功率半导体公司（如英飞凌、安森美、三菱、富士等）同岗位工作经验者。