1.根据市场需求和技术趋势，结合公司发展战略，规划公司功率芯片（IGBT/SiC MOSFET）战略发展路标，统筹公司功率芯片研发工作开展，制定芯片研发计划及目标，对功率芯片（IGBT/SiC MOSFET）竞争力及商业成功负责； 2.负责芯片设计研发团队搭建，主导公司芯片设计流程和体系建立，对功率芯片（IGBT/SiC MOSFET）产业化负责； 3.牵头公司芯片研发关键项目开展，主导芯片重大问题攻关，解决芯片设计与开发过程中的关键设计与工艺问题，保障项目顺利进行，确保芯片市场竞争力； 4.负责功率芯片关键设计能力建设，提升公司芯片设计综合能力，缩短功率芯片开发周期，减少芯片总体设计与验证成本，保障芯片性能与可靠性；

1.微电子、半导体物理、集成电路等芯片设计相关专业硕士及以上学历； 2.熟悉功率芯片设计及开发流程，能独立完成IGBT/SiC MOSFET芯片设计与开发，5年以上国际功率芯片设计厂相关工作经验； 3.了解功率芯片市场应用需求，掌握功率芯片产业链资源着优先； 4.2年及以上芯片设计团队管理经验者优先