岗位职责 1.工艺流程开发与整合： 负责 GaN（氮化镓）光电器件在 8寸/12寸 线上的全线工艺流程（Process Flow）设计、整合与优化，确保器件结构从产线平稳落地。 2.良率提升与失效分析（YMS & FA）： 监控生产过程中的关键电学参数（WAT）及良率波动，主导异常情况（Out of Control / Spec）的调查，利用 Physical/Electrical FA 手段（如 SEM、TEM、FIB等）定位根因并推动改善。 3.工艺导入： 协同晶圆减薄、衬底转移及先进键合（如 Fusion Bonding、Hybrid Bonding、金属共晶键合等）工艺的开发与良率攻关，优化界面缺陷及应力控制。 4.技术指标定义： 负责设计与优化 Inline 监控窗口，制定各工艺模块（Diffusion/Implant、Photo、Etch、Thin Film、CMP）的 DR（Design Rules）与工艺窗口，编写技术标准文档。 5.跨部门协同： 作为产线中枢，高效连接 Device 设计团队与模块工艺（PE）团队，快速响应设计变更，推动小批量试产（NPI）。

1. 教育背景与工作年限 ●微电子、半导体物理、材料科学与工程、晶体管物理等相关专业，硕士及以上学历。 ●2年及以上 半导体晶圆厂（Foundry/IDM）或先进封装厂的 PIE / Device 工作经验。 2. 核心专业技能（硬性条件） ●扎实的半导体物理功底，熟悉 Si 或三五代半导体（特别是 GaN 氮化镓）的器件物理特性及加工机理。 ●熟悉半导体前道（FEOL）或后道（BEOL）核心工艺模块（Litho, Dry/Wet Etch, Thin Film, CMP等），具备较强的工艺集成思维。 3. 优先加分项（重点关注） ●先进工艺： 具备 晶圆级键合（Wafer Bonding）、衬底剥离（LLO）、减薄抛光、异质集成（Heterogeneous Integration）实际项目经验者大幅优先。