1. 负责干法/湿法刻蚀工艺设备（ICP、CCP、RIE、IBE、DRIE等）的日常运维、预防性保养（PM）及故障诊断，建立设备综合效率（OEE）分析机制，持续提升设备稼动率； 2. 主导刻蚀工艺的开发、验证与优化，覆盖硅基刻蚀、介质层刻蚀（SiO₂、SiN、Low-k等）、金属层刻蚀（Al、W、Cu等）等多类工艺； 3. 设计并执行DOE（实验设计），系统优化刻蚀速率、均匀性、选择比、各向异性等关键参数，建立并持续扩展工艺窗口； 4. 建立并维护工艺Recipe及SOP/OCAP/FMEA等技术文件，规范工艺操作流程，并对操作技术人员开展系统性技术培训； 5. 运用SPC/FDC/APC/R2R等先进工艺控制手段进行日常工艺监控与在线数据分析，及时识别工艺漂移，实现异常快速响应与闭环管理； 6. 主导刻蚀工艺异常的调查与根因分析（RCA），制定并跟踪落实改善措施，持续提升产品良率与工艺稳定性； 7. 负责新型刻蚀设备的选型评估、安装调试、资质验收（IQ/OQ/PQ）及量产导入工作； 8. 与光刻、薄膜、良率提升、产品整合等跨职能团队紧密协作，推动新制程导入、技术转移及工艺平台升级。

全日制博士、硕士或本科学历，且具有3年及以上半导体刻蚀工艺相关工作经验；有8寸或12寸晶圆厂刻蚀工艺经验者优先。